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VBM165R22

N-Channel 650 V (D-S) Power MOSFET

FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-Of-Merit(

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

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更多VBM165R22供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-25 15:00:00

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