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VBT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 (forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApacka

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3-4W

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3-8W

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3/4W

Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VBT10200C-E3/8W

Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VFT10200C-E3

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 (forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApacka

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT10200C-E3

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT10200C-E3

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    VBT10200C-E3

  • 功能描述:

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO263AB

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管,整流器 - 陣列

  • 系列:

    TMBS®

  • 其它有關(guān)文件:

    STTH10LCD06C View All Specifications

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    - 電壓 - 在 If

  • 時(shí)為正向(Vf)(最大):

    2V @ 5A 電流 - 在 Vr

  • 時(shí)反向漏電:

    1µA @ 600V 電流 -

  • 平均整流(Io)(每個(gè)二極管):

    5A 電壓

  • -(Vr)(最大):

    600V

  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):

    50ns

  • 二極管類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 速度:

    快速恢復(fù) = 200mA(Io)

  • 二極管配置:

    1 對(duì)共陰極

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    D2PAK

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:

    1553(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    497-10107-2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY/威世
22+
TO-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
詢價(jià)
VISHAY/威世
2021+
TO-263
100500
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
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TO-263AB
10000
公司只做原裝正品
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TO-263AB
6000
十年配單,只做原裝
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VISHAY/威世
23+
TO-263
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
詢價(jià)
VIS
23+
TO-263AB
6000
原裝正品,支持實(shí)單
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VISHAY/威世
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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TO-263AB
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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1809+
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