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VBT2045C-M3

Trench MOS Schottky technology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT2045C-M3_15

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT2045C-M3/4W

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE SCHOTTKY 20A 45V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VBT2045C-M3/8W

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE SCHOTTKY 20A 45V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VFT2045C-M3

DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT2045C-M3

DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VIT2045C-M3

DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLIC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT2045C-M3

DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLIC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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VISHAY/威世
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更多VBT2045C-M3供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 14:50:00