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VBT5202-M3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220AC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT5202-M3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT5202-M3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT5202-M3/4W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VBT5202-M3/8W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VFT5202-M3

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106(forTO-220AC,ITO-220AC

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VFT5202-M3

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VIT5202-M3

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VIT5202-M3

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多VBT5202-M3供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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