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VF10	文件：91.33 Kbytes Page：1 Pages	Diffused Silicon Junction	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
VF10150C	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VF10150C	文件：127.45 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VF10150C_V01	文件：127.45 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VF10150C-E3/4W	文件：168.07 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VF10150S	文件：166.33 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Compo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VF10150S	文件：127.66 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VF10150S_V01	文件：127.66 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VF10150S-E3	文件：167.09 Kbytes Page：6 Pages	High efficiency operation FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Compo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VF10150S-E3/4W	文件：166.33 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Compo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VF10-10	文件：167.74 Kbytes Page：1 Pages	High voltage diffused silicon power rectifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
VF10-10	文件：528.7 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
VF10-10X	文件：167.74 Kbytes Page：1 Pages	High voltage diffused silicon power rectifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
VF10-10X	文件：528.7 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
VF10-12	文件：167.74 Kbytes Page：1 Pages	High voltage diffused silicon power rectifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
VF10-12	文件：528.7 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
VF10-12X	文件：167.74 Kbytes Page：1 Pages	High voltage diffused silicon power rectifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
VF10-12X	文件：528.7 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI
VF10-15	文件：167.74 Kbytes Page：1 Pages	High voltage diffused silicon power rectifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
VF10-15	文件：528.7 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司	NJSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
VF10
功能描述：
High voltage diffused silicon power rectifiers

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	VF10012	HONEYWELL	24+		500000		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	VF10A/RKS-5PF3016	進口原裝	23+	QFP	1836	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
上海專毅電子科技有限公司	VF1000	VisionFlow	17+	FBGA169	9800	只做全新進口原裝,現(xiàn)貨庫存	詢價
上海金慶電子技術有限公司	VF1020X	VARO	新		241	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	VF10150C-E3/4W	VISHAY	22+23+	TO-220F	16357	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳市納立科技有限公司	VF10BUS-TL-H		三年內		1983	只做原裝正品	詢價
深圳誠思涵科技有限公司	VF10BM3-TL-E	SANYO	19+	MCPH3	200000		詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	VF1000	VISIONFL	1950+	BGA	6852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	VF10BM3-TL-E	SANYO/三洋	20+	MCPH3	36800	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
VF10150C-E3/4W	VISHAY	21+	TO-220F-2	6000	絕對原裝現(xiàn)貨	詢價

更多VF10供應商更新時間2025-1-3 16:00:00

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