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VF20120SG_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

VF20120SG_V01
廠商型號(hào)

VF20120SG_V01

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

126.88 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-25 17:09:00

VF20120SG_V01規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,

per JESD 22-B106

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: ITO-220AB?

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102?

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: as marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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