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VF20150SG_V01

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20150SG_V01

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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原廠原裝現(xiàn)貨
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更多VF20150SG_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 15:37:00

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