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VI20202G

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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VX20202C

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更多VF20202C供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00