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VF30120C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VF30120C-E3SLASH4W
廠商型號

VF30120C-E3SLASH4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

文件大小

168.11 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 11:14:00

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VF30120C-E3SLASH4W規(guī)格書詳情

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

?Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode,? and reverse battery protection.

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