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VF30120S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF30120S-E3/4W

包裝:管件 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 30A ITO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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V30120S-E3/4W

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.43VatIF=5A

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB30120S-E3/4W

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.43VatIF=5A

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VI30120S-E3/4W

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI30120S-E3/4W

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI30120S-E3/4W

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.43VatIF=5A

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    VF30120S-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列:

    TMBS?

  • 包裝:

    管件

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    30A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 全封裝,隔離接片

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ITO-220AB

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 30A ITO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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