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VFBI30120S中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VFBI30120S
廠商型號

VFBI30120S

功能描述

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

文件大小

216.59 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-2 23:00:00

VFBI30120S規(guī)格書詳情

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB

package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per

JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and

TO-262AA package)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
BURR-BROWN
23+
NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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