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VFT1080C

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT1080C

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT1080C

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT1080C_V01

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT1080C-E3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT1080C_15

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT1080C-E3/4W

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT1080C-E3SLASH4W

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT1080C-M3-4W

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT1080C-E3/4W

Package：TO-220-3 全封裝，隔離接片；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V ITO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    VFT1080C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TECCOR/LITT
23+
TO-220
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價(jià)
VISHAY
1809+
TO-220
3675
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
Vishay Semiconductor Diodes Di
22+
ITO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
 詢價(jià)
Vishay General Semiconductor -
24+
TO-220-3 全封裝 隔離接片
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
N/A
23+
CAN
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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N/A
CAN
3
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
N/A
2023+
CAN
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
 詢價(jià)
ASI
24+
260
現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
ASI
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
更多VFT1080C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-8 15:45:00

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