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VFT245CBP中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

VFT245CBP
廠商型號(hào)

VFT245CBP

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5.0 A

文件大小

130.479 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-20 19:10:00

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VFT245CBP規(guī)格書(shū)詳情

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? TJ 200 °C max. in solar bypass mode application

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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