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VFT3060C-M3-4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VFT3060C-M3-4W
廠商型號

VFT3060C-M3-4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

79.84 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-13 15:57:00

VFT3060C-M3-4W規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

??? For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    VFT3060C-M3-4W

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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