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VFT3060C_V01

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

M3060C_V01

DualCommonCathodeSchottkyRectifier

FEATURES ?Powerpack ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多VFT3060C_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 9:00:00

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