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VG3617161ET-6

CMOS Synchronous Dynamic RAM

Description TheVG3617161ETisCMOSSynchronousDynamicRAMorganizedas524,288-wordX16-bitX2-bank.ItisfabricatedwithanadvancedsubmicronCMOStechnologyanddesignedtooperatefromasingle3.3Vpowersupply.ThisSDRAMisdelicatelydesignedwithperformanceconcernforcurrenthigh

VML

Vanguard International Semiconductor

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    VG3617161ET-6

  • 制造商：

    VML

  • 制造商全稱：

    VML

  • 功能描述：

    CMOS Synchronous Dynamic RAM

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更多VG3617161ET-6供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-25 15:00:00

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