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VI20120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VI20120C-E3/4W

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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V20120C-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    VI20120C-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝:

    散裝

  • 二極管配置:

    1 對共陰極

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

    10A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-262AA

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多VI20120C-E3/4W供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 15:22:00