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VI20120SG-E3/4W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

VI20120SG-E3/4W
廠商型號(hào)

VI20120SG-E3/4W

參數(shù)屬性

VI20120SG-E3/4W 封裝/外殼為TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

封裝外殼

TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

文件大小

166.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-3 17:08:00

VI20120SG-E3/4W規(guī)格書詳情

Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    VI20120SG-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-262AA

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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