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VI20150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20150C-E3

Trench MOS Schottky technology

UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20150C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABa

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20150C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20150C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20150CHM3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20150C-M3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI20150C-E3/4W

Package：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO262

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細參數(shù)

  • 型號：

    VI20150C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
2024
TO-262
501615
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VISHAY
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全新原裝現(xiàn)貨
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VISHAY/威世
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VISHAY
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原廠原裝,價格優(yōu)勢!13246658303
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VISHAY/威世
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TO262
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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VISHAY
TO262
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集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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更多VI20150C供應(yīng)商 更新時間2025-1-27 16:18:00

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