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VI40100C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Lowthermalresistance ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD 22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI40100CHM3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    VI40100C

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY
23+
TO-262
8600
全新原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
VISHAY
24+
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只做原裝公司現(xiàn)貨
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22+23+
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絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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VISHAY/威世
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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VISHAY/威世
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VISHAY
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更多VI40100C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-3 16:36:00