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VIT10202C-M3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

VIT10202C-M3SLASH4W
廠商型號(hào)

VIT10202C-M3SLASH4W

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

文件大小

159.09 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-13 16:44:00

VIT10202C-M3SLASH4W規(guī)格書詳情

? Trench MOS Schottky technology Gen 2

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,

per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and

TO-262AA package)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
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TO262
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