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VIT1080C-E3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VIT1080C-E3/4W

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VIT1080C-E3SLASH4W

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VIT1080C-E3/4W

Package：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-262AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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VBT1080C-E3

DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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VFT1080C-E3

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    VIT1080C-E3

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 10A 80V Dual TrenchMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產(chǎn)品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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