首頁(yè)>VMO650-01F>規(guī)格書(shū)詳情
VMO650-01F中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
VMO650-01F |
功能描述 | HiPerFET-TM MOSFET Module |
文件大小 |
54.06 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
IXYS |
中文名稱(chēng) | IXYS Corporation官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-3 16:00:00 |
人工找貨 | VMO650-01F價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
VMO650-01F規(guī)格書(shū)詳情
HiPerFET? MOSFET Module
N-Channel Enhancement Mode
Features
● International standard package
● Direct Copper Bonded Al2O3 ceramic base plate
● Isolation voltage 3600 V~
● Low RDS(on) HDMOSTM process
● Low package inductance for high speed switching
● Kelvin Source contact for easy drive
Applications
● AC motor speed control for electric vehicles
● DC servo and robot drives
● Switched-mode and resonant-mode power supplies
● DC choppers
Advantages
● Easy to mount
● Space and weight savings
● High power density
● Low losses
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
VMO650-01F
- 功能描述:
MOSFET 650 Amps 100V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICONI/矽??萍?/div> |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
Panqsonic |
24+ |
40 |
N/A |
詢(xún)價(jià) | |||
NS |
24+ |
QFN48 |
1173 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
Venitek |
16+ |
QFP |
1120 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
2022+ |
Y3-DCB |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
Y3-DCB |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
模塊 |
383 |
價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶(hù)至上/歡迎廣大客戶(hù)來(lái)電查詢(xún) |
詢(xún)價(jià) | ||
SILICONIX |
24+ |
255 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢(xún)價(jià) | |||
IXYS |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢(xún)價(jià) |