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VN10KN3-G

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceandpo

SUTEX

Supertex, Inc

VN10KN3

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET

GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceandpo

SUTEX

Supertex, Inc

VN10KN3

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

SUTEX

Supertex, Inc

VN10KN3

N-CHANNELENHANCEMENT-MODED-MOSPOWERFETs

[TOPAZSEMICONDUCTOR] N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

VN10KN3

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceandpo

SUTEX

Supertex, Inc

詳細參數(shù)

  • 型號：

    VN10KN3-G

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 5Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microchip Technology
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晶體管-分立半導體產品-原裝正品
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更多VN10KN3-G供應商 更新時間2024-12-23 20:18:00

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