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VND5N07TR-E	文件：504.27 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics?VIPower?M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VND5N07TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：集成電路（IC）配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VND5N07	文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VND5N07	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VND5N07	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics?VIPower?M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VND5N07-E	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics?VIPower?M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VND5N07FI	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VND5N07FM	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNK5N07FM	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics?VIPower?M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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VNK5N07FM	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP5N07	文件：132.12 Kbytes Page：11 Pages	??MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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VNP5N07FI	文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP5N07FI	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
VND5N07TR-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
系列：
OMNIFET II?, VIPower?
包裝：
管件
開(kāi)關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
1
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
低端
輸出類型：
N 通道
接口：
開(kāi)/關(guān)
電壓 - 負(fù)載：
55V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
3.5A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
200 毫歐（最大）
輸入類型：
非反相
故障保護(hù)：
限流（固定），超溫，過(guò)壓
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市星宇佳科技有限公司	VND5N07TR-E	STM	23+/22+/21+	TO-252-3 (DPAK)	12500		詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	VND5N07TR-E	STMicroelectronics	24+	DPAK	25717	意法電源管理芯片-原裝正品	詢價(jià)
中科國(guó)際電子(深圳)有限公司	VND5N07TR-E	ST/意法	22+	TO-252-3	12500	原廠原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安博威科技有限公司	VND5N07TR-E	STM	21+	TO-252-3 (DPAK)	2500	原裝正品有掛有貨	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	VND5N07TR-E	ST/意法	24+	TO-252	600	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司	VND5N07TR-E	ST	21+	TO-252	10000	只做原裝,公司現(xiàn)貨,提供一站式BOM配單服務(wù)!	詢價(jià)
深圳市冠億通科技有限公司	VND5N07TR-E	ST(意法)	21+		5000	只做原裝假一罰百可開(kāi)票可售樣	詢價(jià)
深圳市瑞卓芯科技有限公司	VND5N07TR-E	ST/意法	22+	TO-252	10000	原裝正品	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	VND5N07TR-E	STM	23+	TO-252-3 (DPAK)	4	原裝現(xiàn)貨支持送檢	詢價(jià)
深圳市納睿斯電子科技有限公司	VND5N07TR-E	ST			20000	原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道	詢價(jià)

更多VND5N07TR-E供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 9:30:00

產(chǎn)品屬性

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