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VP0808B中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VP0808B
廠商型號

VP0808B

功能描述

P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors

文件大小

93.68 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-9 9:34:00

VP0808B規(guī)格書詳情

Features

● High-Side Switching

● Low Cm-Resistance: 2.5 Q

● Moderate Threshold: -3.4 V

● Fast Switching Speed: 40 ns

● Low Input Capacitance: 75 pF

Benefits

● Ease in Driving Switches

● Low Offset (Error) Voltage

● Low-VoltageOperation

● High-Speed Switching

● Easily Driven Without Buffer

Applications

● Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories, Transistors, etc.

● Battery Operated Systems

● Power Supply, ConverterCircuits

● Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    VP0808B

  • 功能描述:

    MOSFET 80V 3A 6.25W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VP0808B
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11
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