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VP1008M中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VP1008M
廠商型號

VP1008M

功能描述

P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors

文件大小

93.68 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 13:10:00

VP1008M規(guī)格書詳情

Features

● High-Side Switching

● Low Cm-Resistance: 2.5 Q

● Moderate Threshold: -3.4 V

● Fast Switching Speed: 40 ns

● Low Input Capacitance: 75 pF

Benefits

● Ease in Driving Switches

● Low Offset (Error) Voltage

● Low-VoltageOperation

● High-Speed Switching

● Easily Driven Without Buffer

Applications

● Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories, Transistors, etc.

● Battery Operated Systems

● Power Supply, ConverterCircuits

● Motor Control

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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