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VP2206N3

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan

SUTEX

Supertex, Inc

VP2206N3-G

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

GeneralDescription TheSupertexVP2206isanenhancement-mode(normallyoff)transistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,andthehi

SUTEX

Supertex, Inc

VP2206N3-G

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

VP2206N3-G-P013

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

VN2206N3

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs?

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs Applications □Motorcontrols □Converters □Amplifiers □Switches □Powersupplycircuits □Drivers(Relays,Hammers,Solenoids,Lamps,Memories,Displays,BipolarTransistors,etc.)

SUTEX

Supertex, Inc

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    VP2206N3

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 0.9Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多VP2206N3供應(yīng)商 更新時間2025-5-3 16:00:00

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