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VQ3001P

Dual N-/Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

features LowOn-Resistance:0.8/1.6 LowThreshold:1.5/–3.1V LowInputCapacitance:38/60pF FastSwitchingSpeed:9/16ns LowInputandOutputLeakage benefits LowOffsetVoltage Low-VoltageOperation EasilyDrivenWithoutBuffer High-SpeedCircuits LowErrorV

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VQ3001P

Dual N-/Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

W3001

2.4GHzWiFiAntenna

pulse

Pulse A Technitrol Company

XFGM-3001MPGSR

Pre-amplified/5VExcitation/Gauge

FUJIKURAFujikura Ltd.

富士康富士康(中國) 公司

XFGM-3001MPGSR

Pre-amplified/5VExcitation/Gauge

FUJIKURAFujikura Ltd.

富士康富士康(中國) 公司

XL3001

3A220KHz40VBuckLEDConstantCurrentDriver

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

XL3001

3A220KHz40VBuckLEDConstantCurrentDriver

XLSEMIxlsemi

芯龍上海芯龍半導體技術股份有限公司

XO3001

125MHzCrystalOscillator

rfm

RF Monolithics, Inc

YBS3001

BridgeRectifier

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

揚州揚杰電子揚州揚杰電子科技股份有限公司

YBS3001

BridgeRectifiers

Features ULrecognition,file#￡313149 Glasspassivatedchipjunction Idealforautomatedplacement Highsurgecurrentcapability MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof260°C

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    VQ3001P

  • 功能描述：

    MOSFET DUAL N & P CH 30V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多VQ3001P供應商 更新時間2025-2-3 10:16:00

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