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VS-MURB2020CTPBF	文件：265.2 Kbytes Page：10 Pages	UltrafastRectifier,2x10AFREDPt? FEATURES ?Ultrafastrecoverytime ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?175°Coperatingjunctiontemperature ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof260°C ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VS-MURB2020CTTRLP	文件：173.77 Kbytes Page：9 Pages	UltrafastRectifier,2x10AFREDPt DESCRIPTION/APPLICATIONS MUR..seriesarethestateoftheartultrafastrecoveryrectifiersspecificallydesignedwithoptimizedperformanceofforwardvoltagedropandultrafastrecoverytime.? Theplanarstructureandtheplatinumdopedlifetimecontrol,guaranteethebestoverallperforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
WJZ2020	文件：74.55 Kbytes Page：3 Pages	BroadbandSurfaceMountMixer	WJCI WJ Communication. Inc.	WJCI
WJZ2020-PCB	文件：74.55 Kbytes Page：3 Pages	BroadbandSurfaceMountMixer	WJCI WJ Communication. Inc.	WJCI
WNM2020	文件：447.19 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,20V,0.90A,SmallSignalMOSFET	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韋爾股份上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司	WILLSEMI
WNM2020	文件：1.31221 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
YF2020ID	文件：272.57 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,2/0AWG,1.45L,TinPlated,Yellow,ForuseonCuCond.	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
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ZXTN2020F	文件：514.179 Kbytes Page：6 Pages	100V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features ?Higherpowerdiss	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTN2020FTA	文件：522.72 Kbytes Page：6 Pages	100V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features ?Higherpowerdiss	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZXTN2020FTA	文件：514.179 Kbytes Page：6 Pages	100V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features ?Higherpowerdiss	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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