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VS-1N3880	文件：148.53 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6 A, 12 A FEATURES ?Shortreverserecoverytime ?Lowstoredcharge ?Widecurrentrange ?Excellentsurgecapabilities ?StandardJEDEC?types ?Studcathodeandstudanodeversions ?Fullycharacterizedreverserecoveryconditions ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleases	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VS-1N3880	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：DO-203AA，DO-4，接線柱類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GEN PURP 100V 6A DO203AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-1N3880R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：DO-203AA，DO-4，接線柱類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GEN PURP 100V 6A DO203AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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1N3880	文件：110.77 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier FastRecoveryRectifier ●FastRecoveryRectifier ●175°CJunctionTemperature ●VRRM100to400Volta ●6AmpsCurrentRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3880	文件：94.42 Kbytes Page：1 Pages	FastRectifier,5AI(O)/I(F)s10A GENERALPURPOSE&INDUSTRIAL FASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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1N3880	文件：201.26 Kbytes Page：2 Pages	6AMPS50-400VOLTS120nsecFASTRECOVERYRECTIFIER 6AMPS50-400VOLTS120nsecFASTRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
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1N3880	文件：2.04834 Mbytes Page：11 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion) FEATURES ?Shortreverserecoverytime ?Lowstoredcharge ?Widecurrentrange ?Excellentsurgecapabilities ?StandardJEDEC?types ?Studcathodeandstudanodeversions ?Fullycharacterizedreverserecoveryconditions ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
1N3880	文件：315.41 Kbytes Page：8 Pages	6A,12AAND16AFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■StandardJEDECtypes ■Studcathodeandstudanodeversions ■Fullycharacterizedreverserecoveryconditions	IRF International Rectifier	IRF
1N3880	文件：49.69 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEINDUSTRIAL GENERALPURPOSE&INDUSTRIAL FASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N3880	文件：147.89 Kbytes Page：8 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6A,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
1N3880	文件：110.1 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIIFER FASTRECOVERYRECTIIFER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N3880	文件：424.59 Kbytes Page：2 Pages	HighPower-FastRecoveryRectifiers Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto400VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
VS-1N3880
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
包裝：
管件
二極管類型：
標(biāo)準(zhǔn)
電流 - 平均整流 (Io)：
6A
速度：
快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
安裝類型：
底座，接線柱安裝
封裝/外殼：
DO-203AA，DO-4，接線柱
供應(yīng)商器件封裝：
DO-203AA（DO-4）
工作溫度 - 結(jié)：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 100V 6A DO203AA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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