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VS-1N3890	文件：148.53 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6 A, 12 A FEATURES ?Shortreverserecoverytime ?Lowstoredcharge ?Widecurrentrange ?Excellentsurgecapabilities ?StandardJEDEC?types ?Studcathodeandstudanodeversions ?Fullycharacterizedreverserecoveryconditions ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleases	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VS-1N3890	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：DO-203AA，DO-4，接線柱類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-1N3890R	文件：148.53 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6 A, 12 A FEATURES ?Shortreverserecoverytime ?Lowstoredcharge ?Widecurrentrange ?Excellentsurgecapabilities ?StandardJEDEC?types ?Studcathodeandstudanodeversions ?Fullycharacterizedreverserecoveryconditions ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleases	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VS-1N3890R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：DO-203AA，DO-4，接線柱類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N3890	文件：756.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3890	文件：147.89 Kbytes Page：8 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6A,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
1N3890	文件：706.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto400VVRRM ?NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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1N3890	文件：528.11 Kbytes Page：7 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS DESCRIPTION This1N3889–1N3891and1N3893familyofrectifierdevicesaresuitableforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,converters,choppersandultrasonicsystemsaswellasotherapplications.Itcanalsobeusedasafree-wheelingdiode.TheyaremilitaryqualifieduptoaJANTX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3890	文件：110.53 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIIFER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N3890	文件：315.41 Kbytes Page：8 Pages	6A,12AAND16AFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■StandardJEDECtypes ■Studcathodeandstudanodeversions ■Fullycharacterizedreverserecoveryconditions	IRF International Rectifier	IRF
1N3890	文件：428.92 Kbytes Page：2 Pages	HighPower-FastRecoveryRectifiers Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto400VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N3890	文件：725.13 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3890	文件：528.1 Kbytes Page：7 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERSQualifiedperMIL-PRF-19500/304 DESCRIPTION This1N3889–1N3891and1N3893familyofrectifierdevicesaresuitableforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,converters,choppersandultrasonicsystemsaswellasotherapplications.Itcanalsobeusedasafree-wheelingdiode.TheyaremilitaryqualifieduptoaJANTX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3890	文件：2.0733 Mbytes Page：13 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6/12/16A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
1N3890	文件：88.56 Kbytes Page：3 Pages	HIGHRELIABILITYFASTRECOVERYRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3890	文件：94.37 Kbytes Page：1 Pages	FastRectifier,10AI(O)/I(F)s20A FASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS50-800VOLTS12AMPERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N3890	文件：137.2 Kbytes Page：1 Pages	STUDMOUNTEDFASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS FASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS50-800VOLTS12AMPERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N3890	文件：120.36 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
VS-1N3890
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
包裝：
管件
二極管類型：
標(biāo)準(zhǔn)
電流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
安裝類型：
底座，接線柱安裝
封裝/外殼：
DO-203AA，DO-4，接線柱
供應(yīng)商器件封裝：
DO-203AA（DO-4）
工作溫度 - 結(jié)：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多VS-1N3890供應(yīng)商更新時間2021-9-14 10:50:00

產(chǎn)品屬性

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