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VS-3C06ET07T-M3

650 V Power SiC Gen 3 Merged PIN Schottky Diode, 6 A

FEATURES ?MajoritycarrierdiodeusingSchottkytechnology onSiCwidebandgapmaterial ?ImprovedVFandefficiencybythinwafer technology ?PositiveVFtemperaturecoefficientforeasy paralleling ?Virtuallynorecoverytailandnoswitchinglosses ?Temperatureinvariantswitching

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更多VS-3C06ET07T-M3供應(yīng)商 更新時間2025-1-10 14:52:00

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