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VS-3C12ET07S2L-M3

650 V Gen 3 Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 12 A

FEATURES ?MajoritycarrierdiodeusingSchottkytechnology onSiCwidebandgapmaterial ?ImprovedVFandefficiencybythinwafer technology ?PositiveVFtemperaturecoefficientforeasy paralleling ?Virtuallynorecoverytailandnoswitchinglosses ?Temperatureinvariantswitching

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更多VS-3C12ET07S2L-M3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-15 10:44:00

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