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VS-C10ET07T-M3_V01

650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 10 A

FEATURES MajoritycarrierdiodeusingSchottkytechnology onSiCwidebandgapmaterial PositiveVFtemperaturecoefficientforeasy paralleling Virtuallynorecoverytailandnoswitchinglosses Temperatureinvariantswitchingbehavior 175°Cmaximumoperatingjunctiontemperature MPSstr

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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更多VS-C10ET07T-M3_V01供應(yīng)商 更新時間2025-1-29 11:02:00