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VS-E4PH6006L-N3_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VS-E4PH6006L-N3_V01
廠商型號

VS-E4PH6006L-N3_V01

功能描述

Hyperfast Soft Recovery Diode, 60 A FRED Pt? Gen 4

文件大小

163.84 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-21 23:00:00

VS-E4PH6006L-N3_V01規(guī)格書詳情

FEATURES

? Gen 4 FRED Pt? technology

? Low IRRM and reverse recovery charge

? Very low forward voltage drop

? Polyimide passivated chip for high reliability

standard

? 175 °C operating junction temperature

? Designed and qualified according to JEDEC?-JESD 47

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DESCRIPTION

Gen 4 Fred technology, state of the art, ultralow VF, soft

switching optimized for Discontinuous (Critical) Mode (DCM)

and IGBT F/W diode.?

The minimized conduction loss, optimized stored charge

and low recovery current minimized the switching losses

and reduce over dissipation in the switching element and

snubbers.

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