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VS-ETF150Y65N

EMIPAK-2B PressFit Power Module 3-Levels Half-Bridge Inverter Stage, 150 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-ETF150Y65N

包裝：托盤 封裝/外殼：模塊 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 650V 201A 600W

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-ETF150Y65U

EMIPAK-2BPressFitPowerModule3-LevelsHalf-BridgeInverterStage,150A

FEATURES ?TrenchIGBTtechnology ?FREDPt?clampingdiodes ?PressFitpinstechnology ?ExposedAl2O3substratewithlowthermalresistance ?Shortcircuitrated ?SquareRBSOA ?Integratedthermistor ?Lowinternalinductances ?Lowswitchingloss ?PressFitpinslockingtechnology.P

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-ETF150Y65U

EMIPAK-2BPressFitPowerModule3-LevelsHalf-BridgeInverterStage,150A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VS-ETF150Y65N

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    FRED Pt?

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 配置：

    半橋逆變器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.17V @ 15V，150A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MOD 650V 201A 600W

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多VS-ETF150Y65N供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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