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VS-FB190SA10 | Power MOSFET, 190 A DESCRIPTION HighcurrentdensitypowerMOSFETsareparalleledintoacompact,highpowermoduleprovidingthebestcombinationofswitching,ruggedizeddesign,verylowon-resistanceandcosteffectiveness. TheisolatedSOT-227packageispreferredforallcommercial-industrialapplicationsatp | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | |
PowerMOSFET,190A DESCRIPTION HighcurrentdensitypowerMOSFETsareparalleledintoacompact,highpowermoduleprovidingthebestcombinationofswitching,ruggedizeddesign,verylowon-resistanceandcosteffectiveness. TheisolatedSOT-227packageispreferredforallcommercial-industrialapplicationsatp | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
VS-FB190SA10
- 功能描述:
MOSFET 190 Amp 100 Volt
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN |
23+ |
NA |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8048 |
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
2249+ |
SOT-227-4,miniBLOC |
58073 |
二十余載金牌老企 研究所優(yōu)秀合供單位 您的原廠窗口 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
VishaySemiconductorDiode |
23+ |
MOSFETN-CH100V190ASOT227 |
1959 |
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||
Vishay |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
13+ |
SOT-227 |
27533 |
進(jìn)口原管環(huán)保 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-227 |
165354 |
原裝正品現(xiàn)貨,可開13個(gè)點(diǎn)稅 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
1809+ |
SOT-227 |
326 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件! |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
2021/2022+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
6500 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) |
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