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VS-GA200TH60S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

VS-GA200TH60S
廠商型號(hào)

VS-GA200TH60S
參數(shù)屬性

VS-GA200TH60S 封裝/外殼為雙 INT-A-PAK（3 + 4）；包裝為盒；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK
功能描述

High short circuit capability
封裝外殼

雙 INT-A-PAK（3 + 4）
文件大小

165.93 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-21 15:33:00

VS-GA200TH60S規(guī)格書詳情

VCES 600 V

IC at TC = 80 °C 200 A

VCE(on) (typical) at IC = 200 A, 25 °C 1.9 V

Speed DC to 1 kHz

Package Double INT-A-PAK

Circuit Half bridge

FEATURES

? High short circuit capability

? 10 μs short circuit capability

? VCE(on) with positive temperature coefficient

? Maximum junction temperature 150 °C

? Latch-up free

? Low inductance case

? Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD

? Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VS-GA200TH60S

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    盒

  • 配置：

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，200A（標(biāo)準(zhǔn)）

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    雙 INT-A-PAK（3 + 4）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    雙 INT-A-PAK

  • 描述：

    IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Vishay Semiconductor Diodes Di
22+
SOT227
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
Vishay Semiconductor Diodes Di
2022+
雙 INT-A-PAK
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
VishaySemiconductorDiode
23+
IGBT600V400ASOT227
1714
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價(jià)
Vishay General Semiconductor -
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
2000
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
 詢價(jià)
VISHAY
1809+
A-PAK
7
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 詢價(jià)

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