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VS-GB100DA60UP

Very low internal inductance

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-GB100DA60UP

包裝:盒 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 600V 125A 447W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

APTGT100DA60TG

BoostchopperTrenchFieldStopIGBTPowerModule

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

GB100DA60UP

InsulatedGateBipolarTransistor(Warp2SpeedIGBT),100A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

GT100DA60U

InsulatedGateBipolarTransistor(TrenchIGBT),100A

FEATURES ?TrenchIGBTtechnologywithpositive temperaturecoefficient ?SquareRBSOA ?3μsshortcircuitcapability ?FREDPt?antiparalleldiodeswithultrasoft reverserecovery ?TJmaximum=175°C ?Fullyisolatedpackage ?Verylowinternalinductance(?5nHtypical) ?Industry

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

GT100DA60U

InsulatedGateBipolarTransistor(TrenchIGBT),100A

FEATURES ?TrenchIGBTtechnologywithpositivetemperaturecoefficient ?Speed4kHzto30kHz ?SquareRBSOA ?3μsshortcircuitcapability ?FREDPt?antiparalleldiodeswithultrasoftreverserecovery ?TJmaximum=175°C ?Fullyisolatedpackage ?Verylowinternalinductance(≤5n

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    VS-GB100DA60UP

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,100A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227

  • 描述:

    IGBT MOD 600V 125A 447W SOT227

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Vishay Semiconductor Diodes Di
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Vishay
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NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
詢價(jià)
更多VS-GB100DA60UP供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-8 8:24:00