VS-GB100NH120N_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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  • 廠家型號(hào):

    VS-GB100NH120N

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊

  • 封裝外殼:

    雙 INT-A-PAK(3 + 4)

  • 包裝:

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 更新時(shí)間:

    2021-9-14 10:50:00

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原廠料號(hào):VS-GB100NH120N品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

資料說明:IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

VS-GB100NH120N是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生產(chǎn)封裝雙 INT-A-PAK(3 + 4)的VS-GB100NH120N晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào):

    vs-gb100nh120n

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 資料說明:

    IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    VS-GB100NH120N

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,100A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    雙 INT-A-PAK(3 + 4)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    雙 INT-A-PAK

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

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