VS-GT50TP120N_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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  • 廠家型號:

    VS-GT50TP120N

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 庫存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊

  • 封裝外殼:

    INT-A-PAK(3 + 4)

  • 包裝:

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 更新時間:

    2021-9-14 10:50:00

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原廠料號:VS-GT50TP120N品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

資料說明:IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK

VS-GT50TP120N是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生產(chǎn)封裝INT-A-PAK(3 + 4)的VS-GT50TP120N晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號:

    vs-gt50tp120n

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 資料說明:

    IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    VS-GT50TP120N

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    INT-A-PAK(3 + 4)

  • 供應商器件封裝:

    INT-A-PAK

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK

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