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VS-GT80DA120U

Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 80 A

FEATURES ?TrenchIGBTtechnology ?PositiveVCE(on)temperaturecoefficient ?SquareRBSOA ?10μsshortcircuitcapability ?HEXFRED?lowQrr,lowswitchingenergy ?TJmaximum=150°C ?Fullyisolatedpackage ?Verylowinternalinductance(?5nHtypical) ?Industrystandardoutline

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-GT80DA120U

Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 80 A

FEATURES ?TrenchIGBTtechnology ?PositiveVCE(on)temperaturecoefficient ?SquareRBSOA ?10μsshortcircuitcapability ?HEXFRED?lowQrr,lowswitchingenergy ?TJmaximum=150°C ?Fullyisolatedpackage ?Verylowinternalinductance(?5nHtypical) ?Industrystandardoutline

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-GT80DA120U

包裝：管件 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-GT80DA120U_V01

Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 80 A

FEATURES ?TrenchIGBTtechnology ?PositiveVCE(on)temperaturecoefficient ?SquareRBSOA ?10μsshortcircuitcapability ?HEXFRED?lowQrr,lowswitchingenergy ?TJmaximum=150°C ?Fullyisolatedpackage ?Verylowinternalinductance(?5nHtypical) ?Industrystandardoutline

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VS-GT80DA120U

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    HEXFRED?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 配置：

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.55V @ 15V，80A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-227

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay General Semiconductor -
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SOT-227-4,miniBLOC
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多VS-GT80DA120U供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 16:21:00

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