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VSI080P06MS

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

G080P06M

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG080P06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G080P06T

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG080P06Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

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更多VSI080P06MS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-19 10:02:00

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