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VSMY1850X01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

DESCRIPTION AspartoftheSurfLightTMportfolio,theVSMY1850X01isan infrared,850nmemittingdiodebasedonGaAlAssurface emitterchiptechnologywithhighradiantintensity,high opticalpowerandhighspeed,moldedinclear,untinted 0805plasticpackageforsurfacemounting(SMD).

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VSMY1850X01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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威世科技威世科技半導體

VSMY1850X01

High Speed Infrared Emitting Diodes

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VSMY1850X01

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：0805（2012 公制） 類別：光電器件 LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光 描述：EMITTER IR 850NM 100MA 0805

Vishay Semiconductor Opto Division

Vishay Semiconductor Opto Division

Vishay Semiconductor Opto Division

VSMY1850X01_V01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

DESCRIPTION AspartoftheSurfLightTMportfolio,theVSMY1850X01isan infrared,850nmemittingdiodebasedonGaAlAssurface emitterchiptechnologywithhighradiantintensity,high opticalpowerandhighspeed,moldedinclear,untinted 0805plasticpackageforsurfacemounting(SMD).

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VSMY1850X01_16

High Speed Infrared Emitting Diodes

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VSMY1850X01

  • 制造商：

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 類別：

    光電器件 > LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光

  • 系列：

    SurfLight?

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 類型：

    紅外（IR）

  • 電流 - DC 正向 (If)（最大值）：

    100mA

  • 不同 If 時最小輻射強度 (Ie)：

    5mW/sr @ 100mA

  • 波長：

    850nm

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.65V

  • 視角：

    120°

  • 方向：

    頂視圖

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    0805（2012 公制）

  • 描述：

    EMITTER IR 850NM 100MA 0805

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更多VSMY1850X01供應(yīng)商 更新時間2025-1-10 16:59:00

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