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VT1045CBP-M3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VT1045CBP-M3SLASH4W
廠商型號

VT1045CBP-M3SLASH4W

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A

文件大小

135.08 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-15 22:30:00

VT1045CBP-M3SLASH4W規(guī)格書詳情

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? TJ 200 °C max. in solar bypass mode application

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