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VT3060C-E3_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

VT3060C-E3_V01
廠商型號(hào)

VT3060C-E3_V01

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

202.27 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-14 18:44:00

VT3060C-E3_V01規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,

per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and

TO-262AA package)

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency inverters, switching power

supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC

converters and reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB, and

TO-262AA

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102?

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: as marked

Mounting Torque: 10 in-lbs max.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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