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VT3060G-E3_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting ?Solderbathtemperature275°Cmaxim

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更多VT3060G-E3_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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