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W25Q257JVEIQ

Package:8-WDFN 裸露焊盤;包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:SPIFLASH, 3V, 256M-BIT, 4KB UNIF

Winbond Electronics

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W25Q257JVEIQ TR

Package:8-WDFN 裸露焊盤;包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:SPIFLASH, 3V, 256M-BIT, 4KB UNIF

Winbond Electronics

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GD25Q257D

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25Q257D

MCU

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25Q257DBEG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25Q257DBER

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25Q257DBFG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25Q257DBFR

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25Q257DBJG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

GD25Q257DBJR

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    W25Q257JVEIQ

  • 制造商:

    Winbond Electronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 系列:

    SpiFlash?

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    256Mb(32M x 8)

  • 存儲器接口:

    SPI - 四 I/O

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    3ms

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-WSON(8x6)

  • 描述:

    SPIFLASH, 3V, 256M-BIT, 4KB UNIF

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
WINBOND/華邦
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