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PHB29N08T

TrenchMOSstandardlevelFET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHB29N08T

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PHP29N08T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHP29N08T

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits H

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PHP29N08T

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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更多W29N08GVBJAA供應(yīng)商 更新時間2024-1-17 12:20:00

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